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850nm 1~5W VCSEL

所属分类:VCSEL&VCSEL阵列

芯片规格:1X1/ 1X4

芯片尺寸:250μmX250μm/1000μmX250μm

芯片厚度:150μm±10μm

P电极大小:Φ75μm

电极材料:Au

应用领域:光通讯、数据中心等

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产品详情

说明:

该面发射激光器是由杰创半导体(苏州)有限公司自主设计、研发、制造。主要应用在光通讯、数据中心、主动光缆、HDMI 传输线等。低阀值电流确保了芯片在每秒万兆位的高速操作下有良好的表现。芯片本身的抗水气与可靠度特性经过严格验证,确保芯片可以应用在 COB 或是 TO 等各种不同封装模式。


特性:

支持每秒万兆比特传输;湿氧氧化式面发射型激光器;850nm 波长;稳定且均匀的特性分布;抗水气无需密封设计;单一芯片到各式矩阵可弹性设计。


芯片尺寸图:

杰创新产品详情页.jpg


光电特性:

参数名称代表符号指标测试条件
MinTypMax
阈值电流I_th(mA)840850860I_op,ER=5dB,20%-80%
工作电流I_op(mA)0.50.71.0I_op,ER=5dB,20%-80%
阈值电流I_th(mA)840850860I_op,ER=5dB,20%-80%
工作电流I_op(mA)0.50.71.0I_op,ER=5dB,20%-80%
阈值电流I_th(mA)840850860I_op,ER=5dB,20%-80%
工作电流I_op(mA)0.50.71.0I_op,ER=5dB,20%-80%
阈值电流I_th(mA)840850860I_op,ER=5dB,20%-80%
工作电流I_op(mA)0.50.71.0I_op,ER=5dB,20%-80%
阈值电流I_th(mA)840850860I_op,ER=5dB,20%-80%
工作电流I_op(mA)0.50.71.0I_op,ER=5dB,20%-80%
阈值电流I_th(mA)840850860I_op,ER=5dB,20%-80%
工作电流I_op(mA)0.50.71.0I_op,ER=5dB,20%-80%
阈值电流I_th(mA)840850860I_op,ER=5dB,20%-80%
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