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25G PD 850nm

所属分类:PD&PD阵列

芯片规格:1X1/ 1X4

芯片尺寸:250μmX250μm/1000μmX250μm

芯片厚度:150μm±10μm

P电极大小:Φ75μm

电极材料:Au

应用领域:光通讯、数据中心等

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产品详情

说明:

此芯片由杰创半导体(苏州)有限公司设计、研发、制造。 此芯片主要设计是应用于光通讯传输,其中包含了850nm短波光通讯传输模块,主动光缆,新一代USB与HDMI传输线。芯片本身的低暗电流与低电容值确保了芯片在每秒千兆位的高速操作下有良好的表现。芯片本身的抗水气与可靠度特性经过严格验证,确保芯片可以应用在COB或是TO封装等各式不同封装系统。


特性:

支持每秒万兆比特传输;70μm收光区域;850nm抗反射层结构;正负电极置于正面;稳定且均一的特性分布;抗水气,无需密封;由单一芯片到各式矩阵可做弹性设计。


芯片尺寸图:

未标题-1.jpg


光电特性:

参数符号条件指标测试条件
MinTypMax
收光区大小D

70
μm
暗电流I_rV=-1.5V

0.5nA
击穿电压V_rI_r=1μm10

V
电容CV=-1.5V
0.20.25pF
响应度RV=-1.5V
850nm
0.50.6
A/W
波长λ

850860nm
3dB带宽f_3dBV=-3V10

GHz
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